טרנזיסטורי הRF מבוססי הגרפן אמורים להביס במהירותם את הטרנזיסטורים המהירים ביותר בשיטת גליום ארסנייד, ולסלול את הדרך לאלקטרוניקה מהירה ומסחרית מבוססת פחמן.
יבמ הדגימה טרנזיסטור בתדר 100 גיגהרץ שפותח במעבדות המחקר של יבמ. הטרנזיסטור מבוסס על פרוסות גרפן בקוטר 2 אינטש, ופועל בטמפרטורת החדר.
טרנזיסטורי ה-RF מבוססי הגרפן אמורים להביס במהירותם את הטרניזסטורים המהירים ביותר בשיטת גליום ארסנייד, ולסלול את הדרך לאלקטרוניקה מהירה ומסחרית מבוססת פחמן.
"כבר נטענו טענות יוצאות דופן באשר ליכולתו של הגרפן לשימושים יום יומיים בטרנזיסטורים, אך זו ההדגמה הראשונה של טרנזיסטור RF מבוסס גרפן שנבנה בתנאים הטכנולוגיים הרלוונטיים ובקנה המידה הנכון" אומר עמית יבמ פנדון אבוריס, האחראי על מאמצי פיתוח החומרים מבוססי פחמן במעבדות יבמ ביורקטאון הייטס, ניו יורק.
טרנזיסטורי הRF מגרפן נוצרו עבור סוכנות הפרויקטים המתקדמים של משרד ההגנה במסגרת תוכנית אלקטרוניקת פחמן ליישומי RF (CERA).
קצב השידור מהיר פי 4 מההדגמות הקודמות. הטרניזסטרוים יצרו על הווייפר תוך שימוש בתהליך גידול גרפן התואם לתהליך שבו משתמשים בטרנזיסטורי סיליקון. CERA מתכננת לשלב את טרנזיטורי הגרפן במקום טרנזיסטורי גליום ארסנייד המשמשים כיום במערכות התקשורת הצבאיות.
פרוסות הגרפן נוצרות באמצעות נטילת פרוסות של פחמת סיליקון (SiC) הנמכר באורח מסחרי, ולאחר מכן שריפת שכבת הסיליקון העליונה בתהליך המכונה פירוק תרמי. התוצאה הינה שכבה בודדת של גרפן על פני השטח שאחרת היו רק מבודדים. לאחר מכן הוטבעו התבניות של טרנזיסטורי הגרפן באמצעות ארכיטקטורת metal top-gate ולאחר מכן בודדה שכבת הגרפן במקומות הנדרשים לכך ע"י פולימר.
לטרנזיסטור הגרפן ביצועים חזקים פי 2 מאשר לסילקון בעל אותו אורך שער (100 גיגהרץ בגרפן לעומת 40 גיגהרץ בסיליקון).
רוחב השער היה 240 ננומטר, גדול פי 10 מהשער הקטן ביותר האפשרי בטכנולוגיות הליטוגרפיה הקיימות (פחות מ-35 ננומטר). באמצעות ביצוע אופטימיזציה של התהליך כדי להגדיל את התעבורה ולהקטין אורך השער, מתכוונת יבמ להגדיל את מהירות טרנזיסטורי הגרפן עד ל-1 טרהרץ, המטרה של תוכנית CERA.