# הכנת ננו-חוטים ברמת האטום הבודד

> חוקרי ננו-מדעים מאוניברסיטת Lund בשבדיה הראו כי ניתן לשלוט בגידול ובמבנה הגבישי של ננו-כבלים ברמה של אטום בודד. חוקרי ננו-מדעים מאוניברסיטת Lund אשר בשבדיה הראו כי ניתן לשלוט בגידול ובמבנה הגבישי של ננו-כבלים ברמה של אטום בודד. המחקר מתואר במאמר שאמור להתפרסם בכתב-העת המדעי Nature Nanotechnology. לפי דבריו של פרופסור Lars Samuelson, זוהי פריצת דרך הן בהתפתחות של גידול ננו-כבלים והן בהבנת התהליכים הפיסיקליים הבסיסיים האחראיים לקבלת חומרים אלו. מזה…

- Canonical: https://www.hayadan.org.il/nanowires-can-now-be-controlled-down-to-single-atom-level-1801091
- Author: דר. משה נחמני
- Published: 2009-01-18T00:01:58+02:00
- Modified: 2009-01-18T20:37:12+02:00
- Sections: ננו טכנולוגיה
- Topics: ננוטכנולוגיה

## Article

חוקרי ננו-מדעים מאוניברסיטת Lund בשבדיה הראו כי ניתן לשלוט בגידול ובמבנה הגבישי של ננו-כבלים ברמה של אטום בודד. חוקרי ננו-מדעים מאוניברסיטת Lund אשר בשבדיה הראו כי ניתן לשלוט בגידול ובמבנה הגבישי של ננו-כבלים ברמה של אטום בודד. המחקר מתואר במאמר שאמור להתפרסם בכתב-העת המדעי Nature Nanotechnology. לפי דבריו של פרופסור Lars Samuelson, זוהי פריצת דרך הן בהתפתחות של גידול ננו-כבלים והן בהבנת התהליכים הפיסיקליים הבסיסיים האחראיים לקבלת חומרים אלו. מזה זמן רב היה ידוע כי רוב המוליכים למחצה המשמשים בננו-כבלים, בכללם החומר המעניין אינדיום ארסניד (InAs) שנבחן במחקר הנ"ל, מושפעים מאי-הסדירות ברצף הערמת שכבה אחר שכבה. אלו משפיעים על התכונות האלקטרוניות והאופטיות בדרכים בלתי-נשלטות ועל-כן הן אינם רצויים כלל ועיקר. אולם עתה, החוקרים הראו כי ניתן לשלוט במשתנים אלו במידה מרובה, מה שמאפשר את הפיתוח העתידי של תפקודים חדשים בננו-כבלים. כיום ניתן לא רק לייצר ננו-כבלים מושלמים, חסרי פגמים, אלא גם לעבור באופן חופשי בין סוגי גבישים שונים לכל אורכו של ננו-כבל יחיד, לקבלת חומר המכונה " סְרִיג-עָל" (superlattice) תוך שימוש בפרודה כימית מסוג אחד - אינדיום ארסניד. "שניים מהגורמים העיקריים הנדרשים לשם בקרת המבנה הגבישי הינם קוטר הננו-כבל והטמפרטורה בה הוא מיוצר. אולם עדיין יש כתריסר גורמים שונים, בסה"כ, שצריך לשלוט בהם כאשר מייצרים ננו-כבלים", אומרת החוקרת. למרות שתוצאה זו הודגמה בעיקר עבור התרכובת הדו-רכיבית אינדיום ארסניד, החוקרים מאמינים כי המנגנונים השולטים ביצירת מבנה הננו-כבלים ניתנים להרחבה ויישום גם בחומרים מוליכים-למחצה דומים המשמשים בננוטכנולוגיה. באמצעות שיטה זו ניתן לייצר גם ננו-כבלים סדירים ביותר בעלי צדדים מחזוריים מושלמים. תמונות שהתקבלו באמצעות מיקרוסקופיה אלקטרונית מראות כי סידור האטומים בגביש הננו-כבל תואם במדויק את ההדמיות התיאורטיות. התכונות האלקטרוניות והאופטיות של חומרים אלו עדיין לא נבחנו, אך הן תהיינה במרכזם של ניסויים מעשיים ותיאורטיים בהמשך הדרך. הננו-כבלים שיוצרו במחקר זה הינם בעלי קוטר אופייני של עשרה עד מאה ננומטרים ובאורך של מיקרומטרים אחדים. החומרים החדשים מיוצרים ע"י "אפייה" בתנור תוך אספקה שוטפת של חומרי-המוצא במצב הגזי שלהם, וצמיחה מתוך "זירעוניי" זהב מיקרוסקופיים. החוקרים תרים עתה אחר יישומים מסחריים של ננו-כבלים אלו בתחומי האלקטרוניקה והאופטיקה, כגון יישומים של תאי-שמש ותאים הפולטים קרינה. [הידיעה על המחקר](http://www.sciencedaily.com/releases/2008/12/081223091433.htm)